s8050三极管基本参数：类型：NPN。集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。集电极电流Ic：0.5A。集电极-基极电压Vcbo：40V。集电极-发射极电压Vceo：25V。集电极-发射极饱和电压Vce(sat)：0.6V。特征频率f：最小150MHz。按三极管后缀号分为BCD档贴片为LH档。放大倍数：B85-160C120-200D160-300L100-200H200-350。管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。扩展资料理论原理：对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。参考资料来源：百度百科-S8050参考资料来源：百度百科-三极管
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s8050三极管参数为：类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集电极电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;特征频率:150MHzPE8050硅NPN30V1.5A1.1W3DG8050硅NPN25V1.5AFT=190*K2SC8050硅NPN25V1.5AFT=190*KMC8050硅NPN25V700mA200mW150MHzCS8050硅NPN25V1.5AFT=190*K
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类型:开关型;极性都是NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集存器发射电（VCEO）:25;频率:150KHzPE8050硅NPN30V1.5A1.1W3DG8050硅NPN25V1.5AFT=190*K2SC8050硅NPN25V1.5AFT=190*KMC8050硅NPN25V700mA200mW150MHzCS8050硅NPN25V1.5AFT=190*K
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8050三极管参数：耐压25V,电流：500mA,800mA,1500mA三种，比如长电科技的这三种的型号，分别是S8050,M8050和SS8050.
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8050是常用的NPN管，其耐压值25v,Pcm=1w,Id=1.5A,8550是PNP管，二者常作互补使用，其参数与8050完全一样，只是导电极性相反。
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8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。参数：类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集电极电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;特征频率:150MHzPE8050硅NPN30V1.5A1.1W3DG8050硅NPN25V1.5AFT=190*K2SC8050硅NPN25V1.5AFT=190*KMC8050硅NPN25V700mA200mW150MHzCS8050硅NPN25V1.5AFT=190*K
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