只能独处，不能写入的存储器为ROM。
只读存储器（ROM）是一种在正常工作时其存储的数据固定不变，其中的数据只能读出，不能写入，即使断电也能够保留数据，要想在只读存储器中存入或改变数据，必须具备特定的条件。
按存取信息源敬的不同方式，存储器可以分为随机存取存储器（RAM）和非随机桐裂答存取存储器。只读存储器就属于非随机存取存储器。主要分为掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等几类。
扩展资料：
根据编程方式的不同，只读存储器共分为以下5种：
1、掩膜工艺 ROM
这种 ROM 是工艺厂家根据客户所要存储的信息，设计专用的掩膜板进行生产的。一旦生产出成品后，ROM 中的信息即可被读出使用，但不能改变。这类 ROM一般用于批量生产，成本比较低。
2、可一次性编程 ROM（PROM）
PROM 是用熔丝（通常用镍铬合金、多晶硅或钛钨合金制造）制造的，用户可以烧断这些熔丝，以实现存储器存储元件之间的互联，从而写入信息，一旦写入之后，信息就会永久的固定下来，只可读出，不可再改变其内容。
3、紫外线擦除可改写 ROM（EPROM）
EPROM 中的内容可由用户写入，也允许用户反复擦除重新写入。EPROM 用电信号编程用紫外线擦除，在芯片外壳上方有一个圆形的窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有信息。由于太阳光中含有紫外线，所以当程序写好后要使用昂贵的带有石英窗口的陶瓷封装，避免阳光射入而破坏程序。而且在擦除过程中不能选择性地擦除存储字单元，如果用户需要改程序，必须擦除整个存储阵列。
4、电擦除可改写 ROM（EEROM）
EEROM 是 ROM 发展过程中的一个主要进展，它的写操作采用了热载流子隧穿，擦除操作采用了热电子的量子力学隧局慧穿效应。EEPROM 有相当多的优点，如单一的 5V 电压编程能力、编程之前无需进行擦除操作、字节模式和页模式的写操作、中等的存取时间、低功耗、全军用工作温度范围，以及在严峻的环境条件下的不挥发性。
5、快闪 ROM（flash ROM）
在 20 世纪 80 年代中期，人们发现把热载流子编程和隧穿擦除结合在一起是一种实现一个单管 EPROM 单元的方法，这种新技术被称为快闪存储器（flashROM）。这种技术结合了 EPROM 的编程能力和 EEPROM 的擦除能力，读写速度都很快。这种芯片的改写次数最大能达到 100 万次。
参考资料来源：百度百科-ROM
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