13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
NPN晶体管是晶体管的一种,当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而集电极C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
扩展资料
制造工艺设计
1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底,掺杂为均匀的砷杂质,浓度为2.0e16/cm3,然后在基底上注入能量为18ev,浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼,退火,淀积一层厚度为0.3um的多晶硅,
淀积过后,马上进行多晶硅掺杂,掺杂为能量50ev,浓度7.5e15/cm3的砷杂质,接着进行多晶硅栅的刻蚀(刻蚀位置在0.2um处)此时形成N++型杂质(发射区)。
刻蚀后进行多晶氧化,由于氧化是在一个图形化(即非平面)以及没有损伤的多晶上进行的,所以使用的模型将会是fermi以及compress,进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火,接着进行离子注入
注入能量18ev,浓度2.5e13/cm3的杂质硼,随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀,再一次注入硼,能量30ev,浓度1.0e15/cm3,形成P+杂质(基区)并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构,最后淀积铝电极 。
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